高压超结MOS-深圳市虹美功率半导体有限公司

产品列表

型号（Part Number）	工艺 (Technology)	封装（Package）	沟道（Polarity）	VDS(Max) BVDSS(V)	ID(Max) ID(A)	IDM	VTH (Typ)	VGS	RDS(ON) @-10VTyp (mΩ)	RDS(ON) @-4.5VTyp (mΩ)	RDS(ON) @-2.5VTyp (mΩ)	直接替代型号（compatible）
Reset	超结工艺(Super-Junction) 超结工艺 (Super-Junction) Reset	DFN5X6-8L SOP-8 SOT223-2L SOT223-3L TO-220 TO-220F TO-247 TO-251 TO-252 TO-263 Reset	N沟道 N沟道/带ESD Reset	Reset OK	Reset OK	Reset OK	Reset OK	Reset OK	Reset OK	Reset OK	Reset OK

HMS5N90K	超结工艺 (Super-Junction)	SOT223-3L	N沟道	900.00V	5.00A	15.00A	3.50V	30.00V	1480.00mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	IPP90R1K2P6
HMS5N80K	超结工艺 (Super-Junction)	SOT223-3L	N沟道/带ESD	800.00V	5.00A	15.00A	3.50V	30.00V	1050.00mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	IPP80R1K2P6/多层外延工艺，抗冲击性强
HMS5N70R	超结工艺 (Super-Junction)	SOT223-3L	N沟道/带ESD	700.00V	5.00A	15.00A	3.00V	30.00V	955.00mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	IPP70R900/IPA70R900/多层外延工艺，抗冲击性强
HMS3N70K	超结工艺 (Super-Junction)	SOT223-3L	N沟道/带ESD	700.00V	3.00A	9.00A	3.50V	20.00V	1.50mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	IPP70R1K5/多层外延工艺，抗冲击性强
HMS5N65R	超结工艺 (Super-Junction)	SOT223-3L	N沟道/带ESD	650.00V	5.00A	15.00A	3.00V	20.00V	950.00mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	IPP65R900/LSC05N65/SGF900N65W3/多层外延工艺，抗冲击性强
HMS3N65R	超结工艺 (Super-Junction)	SOT223-3L	N沟道/带ESD	650.00V	3.00A	9.00A	3.50V	20.00V	1.50mΩ	0.00mΩ	0.00mΩ	IPP65R1K5/多层外延工艺，抗冲击性强