Language:English

深圳市虹美功率半导体有限公司

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高压超结MOS

产品列表


型号(Part Number) 工艺
(Technology)
封装(Package) 沟道(Polarity) VDS(Max)
BVDSS(V)
ID(Max)
ID(A)
IDM VTH
(Typ)
VGS RDS(ON)
@-10VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-4.5VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-2.5VTyp
(mΩ)
直接替代型号(compatible)


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HMS20N80T 超结工艺
(Super-Junction)
TO-247 N沟道/带ESD 800.00V 20.00A 60.00A 3.00V 20.00V 220.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R250P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS20N70T 超结工艺
(Super-Junction)
TO-247 N沟道/带ESD 700.00V 20.00A 60.00A 3.00V 30.00V 155.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R190/IPA70R19/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS29N65T 超结工艺
(Super-Junction)
TO-247 N沟道/带ESD 650.00V 28.00A 112.00A 3.00V 30.00V 96.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R110/IPA65R110/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS25N65T 超结工艺
(Super-Junction)
TO-247 N沟道/带ESD 650.00V 25.00A 100.00A 3.00V 30.00V 115.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R130/IPA65R130/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS21N65T 超结工艺
(Super-Junction)
TO-247 N沟道/带ESD 650.00V 21.00A 63.00A 3.00V 30.00V 150.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R190/IPA65R190/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS40N65T 超结工艺
(Super-Junction)
TO-247 N沟道 650.00V 40.00A 120.00A 3.00V 20.00V 68.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R080C6/IPA65R080C6/IPP65R080E6/IPA65R080E6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS65N65T 超结工艺
(Super-Junction)
TO-247 N沟道 650.00V 65.00A 195.00A 3.00V 20.00V 39.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R041C6/IPA65R041C6/多层外延工艺,抗冲击性强