Language:English

深圳市虹美功率半导体有限公司

Language:English

高压超结MOS

产品列表


型号(Part Number) 工艺
(Technology)
封装(Package) 沟道(Polarity) VDS(Max)
BVDSS(V)
ID(Max)
ID(A)
IDM VTH
(Typ)
VGS RDS(ON)
@-10VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-4.5VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-2.5VTyp
(mΩ)
直接替代型号(compatible)


Reset

HMS20N80D 超结工艺
(Super-Junction)
TO-263 N沟道/带ESD 800.00V 20.00A 60.00A 3.00V 20.00V 220.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R250P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS15N80D 超结工艺
(Super-Junction)
TO-263 N沟道/带ESD 800.00V 15.00A 45.00A 30.00V 30.00V 330.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP80R380P6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS20N70D 超结工艺
(Super-Junction)
TO-263 N沟道/带ESD 700.00V 20.00A 60.00A 3.00V 30.00V 155.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R190/IPA70R19/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS16N70D 超结工艺
(Super-Junction)
TO-263 N沟道/带ESD 700.00V 16.00A 48.00A 3.00V 20.00V 205.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP70R230P6/IPP70R230C6/IPP70R230E6/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS21N65D 超结工艺
(Super-Junction)
TO-263 N沟道/带ESD 650.00V 21.00A 63.00A 3.00V 30.00V 150.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R190/IPA65R190/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS17N65D 超结工艺
(Super-Junction)
TO-263 N沟道/带ESD 650.00V 17.00A 51.00A 3.00V 30.00V 185.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP65R210/IPA65R210/多层外延工艺,抗冲击性强
HMS15N50D 超结工艺
(Super-Junction)
TO-263 N沟道 500.00V 15.00A 45.00A 3.50V 30.00V 280.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IPP50R250P6/IPP50R250C6/IPP50R250E6/多层外延工艺,抗冲击性强