Language:English

深圳市虹美功率半导体有限公司

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高压MOS

产品列表


型号(Part Number) 工艺
(Technology)
封装(Package) 沟道(Polarity) VDS(Max)
BVDSS(V)
ID(Max)
ID(A)
IDM VTH
(Typ)
VGS RDS(ON)
@-10VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-4.5VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-2.5VTyp
(mΩ)
直接替代型号(compatible)


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HM20N60A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 600.00V 20.00A 80.00A 3.00V 30.00V 0.36mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP20N60/FQN20N60/UTC20N60/STP20N60
HM20N65A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 650.00V 20.00A 80.00A 3.00V 30.00V 0.37mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP20N65/FQN20N65/UTC20N65/STP20N65
HM18N50A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 500.00V 18.00A 64.00A 3.00V 30.00V 0.24mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HM20N50A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 500.00V 20.00A 80.00A 3.00V 30.00V 0.21mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP20N50/FQN20N50/UTC20N50/STP20N50
HM25N50A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 500.00V 25.00A 100.00A 3.00V 20.00V 0.21mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP25N50/FQN25N50/UTC25N50/STP25N50
HM10N80A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 800.00V 10.00A 40.00A 3.00V 30.00V 0.72mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP10N80/FQA10N80/UTC10N80/STP10N80
HM9N90A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 900.00V 9.00A 36.00A 3.00V 30.00V 1.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP9N90/FQN9N90/UTC9N90/STP9N90
HM3N120A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 1200.00V 3.00A 12.00A 4.00V 30.00V 5.10mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ IXTA3N120
HM18N40A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 400.00V 18.00A 72.00A 3.00V 30.00V 0.20mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ SIF18N40/JCS18N40/FQP18N40/STP18N40/UTC18N40/PFB18N40/KIA18N40/FTP18N40/WFP18N40
HM25N60A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 600.00V 25.00A 75.00A 3.00V 30.00V 0.20mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FCP25N60/STF25N60
HM25N65A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 650.00V 25.00A 75.00A 3.00V 30.00V 0.25mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ FQP25N65/FQPF25N65
HM8N100A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 1000.00V 8.00A 24.00A 3.50V 30.00V 1.18mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ 8N100
HM3N150A 平面工艺
(planar)
TO-3P N沟道 1500.00V 3.00A 12.00A 4.00V 30.00V 5.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ STP3N150/STWN150