Language:English

深圳市虹美功率半导体有限公司

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N沟道 低压MOS

产品列表


型号(Part Number) 工艺
(Technology)
封装(Package) 沟道(Polarity) VDS(Max)
BVDSS(V)
ID(Max)
ID(A)
IDM VTH
(Typ)
VGS RDS(ON)
@-10VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-4.5VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@-2.5VTyp
(mΩ)
直接替代型号(compatible)


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HM2N15R 0.00V 0.00A 0.00A 0.00V 0.00V 0.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HM4450A新 0.00V 0.00A 0.00A 0.00V 0.00V 0.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HM3N20MR 0.00V 0.00A 0.00A 0.00V 0.00V 0.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HM2300DR 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N沟道 20.00V 8.00A 32.00A 0.65V 12.00V 0.00mΩ 22.00mΩ 33.00mΩ AON2406/AON2408/IRLHS6242
HM3400DR 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N沟道 30.00V 8.00A 32.00A 0.90V 12.00V 31.00mΩ 34.00mΩ 45.00mΩ AON2410/AON2420
HM2318D 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N沟道 40.00V 6.00A 20.00A 1.00V 20.00V 32.00mΩ 50.00mΩ 0.00mΩ AON2240
HM2310DR 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N沟道 60.00V 4.00A 12.00A 1.10V 20.00V 105.00mΩ 125.00mΩ 0.00mΩ AON2260
HM3N10MR 0.00V 0.00A 0.00A 0.00V 0.00V 0.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HM3N10AMR 0.00V 0.00A 0.00A 0.00V 0.00V 0.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ
HM4N10D 沟槽工艺
(Trench)
DFN2X2-6L N沟道 100.00V 4.00A 16.00A 1.50V 20.00V 135.00mΩ 0.00mΩ 0.00mΩ